Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) บริษัทแรกที่สามารถผลิตชิปจำนวนมากได้ด้วยเทคโนโลยี EUV โดยตอนนี้ได้ประสบความสำเร็จเกี่ยวกับการผลิตชิป 3 นาโนเมตร (N3) โดยสามารถเพิ่มเลเยอร์ได้มากกว่า 20 ชั้น ซึ่งนั่นหมายความว่าจะทำให้สมาร์ตโฟนมีประสิทธิภาพขึ้นแบบก้าวกระโดด
ASML และ TSMC เผยรายละเอียดเกี่ยวกับเทคโนโลยี 3 นาโนเมตร
ตอนนี้ iPhone 12 ใช้ชิปขนาด 5 นาโนเมตร ซึ่งมีประสิทธิภาพสูงกว่าสมาร์ตโฟนทั่วไปในตลาดมาก โดยเครื่องที่แรงพอจะมาเทียบได้เป็นลำดับถัดไปก็มีแต่ iPhone 11 และในตอนนี้ TSMC มีกระบวนการประดิษฐ์สามขั้นตอนที่ใช้การผลิต EUV: N7 +, N6 และ N5 ในอนาคต TSMC วางแผนที่จะนำเสนอกระบวนการผลิต N5P และ N4 ให้กับลูกค้าซึ่งส่วนใหญ่ ที่จะให้ประโยชน์ด้านประสิทธิภาพและพลังงาน โดยคาดว่าจะพร้อมใช้งานในปี 2564 และปี 2565 ตามลำดับ
N5 มีมากกว่า 10 เลเยอร์ และใน N3 จะมีมากกว่า 20 เลเยอร์
ส่วนเทคโนโลยีกระบวนการผลิตรุ่นใหม่ของ TSMC – N3 – จะช่วยปรับปรุงโหนดทั้งหมดบน N5 โดยเฉพาะซึ่งคาดว่าจะไดรับประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นถึง 15% (ที่กำลังไฟฟ้าและจำนวนทรานซิสเตอร์เท่ากัน) ลดกำลังไฟสูงสุด 30% (ที่สัญญาณนาฬิกาและความซับซ้อนเดียวกัน) และความหนาแน่นลอจิกสูงถึง 70% ได้รับ แถมยังสามารถใช้ EUV ได้มากกว่า 20 ชั้น ตามรายงานของ ASML
N3 ของ TSMC ได้รับการออกแบบมาสำหรับทั้งสมาร์ตโฟน และแอปพลิเคชันคอมพิวเตอร์ที่โดยจะใช้โครงสร้างทรานซิสเตอร์ FinFET และน่าจะเป็นโหนด ‘ยาว’ ที่จะใช้ในอีกหลายปีข้างหน้า หลังจาก N3 มาถึง N2 ซึ่งจะอาศัยโครงสร้าง GAAFET ซึ่งจะต้องออกแบบชิปและโครงสร้างใหม่หมด ส่งผลให้การเปลี่ยนไปใช้ N2 ต้องใช้เวลานานพอสมควร
หมายเหตุ : EUV (Extreme Ultraviolet) คือเทคโนโลยีการผลิต ที่ช่วยให้สามารถติดตั้งทรานซิสเตอร์บนชิปได้มากขึ้น ทำให้ชิปมีประสิทธิภาพสูงขึ้น และจัดการพลังงานได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้น
ที่มา – tomshardware.com